57°37′34″ с. ш. 39°57′01″ в. д.HGЯO

Ярославский филиал Физико-технологического института РАН

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
(перенаправлено с «Институт микроэлектроники АН СССР»)
Перейти к навигации Перейти к поиску

Ярославский филиал Физико-технологического института РАН (ЯФ ФТИАН). Главная цель — проведение фундаментальных и прикладных исследований в области элементной и технологической базы микро- и наноэлектроники и микросистемной техники.[1]

Общая численность сотрудников — 105 человек: научных сотрудников 43, в том числе 7 докторов наук, 21 кандидат наук. Средний возраст сотрудников — 45 лет.[1]

Директор филиала — доктор физико-математических наук О. С. Трушин.

В 1984 году в Ярославле был создан Институт микроэлектроники АН СССР (ИМ АН СССР), директор-организатор — академик К. А. Валиев. Было выделено здание на улице Красноборской, дом 3 (ныне корпус Б). В 1989 году построено второе здание на улице Университетской, дом 21 (ныне корпус А).[1]

В 1999 году ИМ РАН был преобразован в Институт микроэлектроники и информатики (ИМИ РАН), а в 2006 году учреждение стало филиалом Физико-технологического института РАН.[1]

С 1984 года в институте подготовлено 30 кандидатов и 9 докторов наук. Сотрудники опубликовали более 600 работ, из них около 300 статей в рецензируемых изданиях, получено 25 патентов.[1]

Лаборатории

[править | править код]

Примечания

[править | править код]
  1. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 yf-ftian.ru Архивная копия от 29 октября 2011 на Wayback Machine — официальный сайт  (рус.)  (англ.)