54°51′14″ с. ш. 83°05′49″ в. д.HGЯO

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Новосибирский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники»
(КТИПМ СО РАН)
Основан 1991
Расположение  Россия, Новосибирск
Юридический адрес 630090, Новосибирск, проспект Академика Лаврентьева, 2/1

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (КТИПМ СО РАН) — российская научная организация, основанная в 1991 году в Новосибирске[1]. Филиал Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН[2]. В сферу интересов предприятия входят термография, ночное видение, контрольно-измерительная техника, спектрорадиометрия, оптико-поляризационные датчики с высокой чувствительностью и т. д.[1]

Конструкторско-технологический институт был организован в 1991 году; базой для его создания стало СКТБ специальной электроники и аналитического приборостроения, основанное в 1980 году при Отделении главного конструктора Опытного завода СО РАН[1].

Некоторое время КТИ был частью созданного в 1990 году Объединённого института физики полупроводников СО РАН, в который также входили Институт полупроводников СО РАН и Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (Омск)[1][3].

В начале 2002 года коллектив организации насчитывал 170 сотрудников, включая шесть кандидатов наук[1].

Разработки и продукция

[править | править код]
  • экспериментальные и опытные образцы низкоуровневых телекамер, мультиплексных спектрорадиометрических устройств на циклических кодах Адамара;
  • концепция построения и разработка экспериментальных экземпляров оптико-электронных модулей для применения в многоспектральных системах;
  • эллипсометрические устройства;
  • технологические и контрольно-измерительные приборы для создания фотоприёмников;
  • разработка и производство оптико-поляризационных сенсоров высокой чувствительности для научного и технического применения (горное дело, биохимия и т. д.)[1]

Связь с вузами Новосибирска

[править | править код]

Для пополнения кадрового состава институт занимается отбором студентов в новосибирских вузах и на индивидуальном уровне работает с начинающими специалистами и аспирантами[1].

В разное время институтом руководили член-корреспондент РАН К. К. Свиташев (1980—1990), кандидат физико-математических наук В. К. Соколов (1990—1995), доктор физико-математичесеих наук В. Н. Овсюк (1996—2000), кандидат технических наук П. В. Журавлев[1].

По данным сайта СО РАН, учреждение возглавляет С. М. Чурилов (врио директора)[2].

Государственные премии

[править | править код]

В 1984 году институт получил Премию Совета Министров СССР за создание эллипсометрических приборов (были запущены в серийное производство); в 1995 году — Государственную премию России за разработку технологической и контрольно-измерительной техники для производства фотодетекторов на базе МЛЭ КРТ[1].

Примечания

[править | править код]
  1. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Ламин В. А. Энциклопедия. Новосибирск. — Новосибирск: Новосибирское книжное издательство, 2003. — С. 437—438. — 1071 с. — ISBN 5-7620-0968-8.
  2. 1 2 Сотрудники КТИПМ СО РАН. СО РАН. Дата обращения: 22 ноября 2023. Архивировано 22 ноября 2023 года.
  3. Ламин В. А. Энциклопедия. Новосибирск. — Новосибирск: Новосибирское книжное издательство, 2003. — С. 641. — 1071 с. — ISBN 5-7620-0968-8.