Обсуждение:Фототранзистор
Проект «Электроника» (уровень III, важность для проекта высокая)
Эта статья тематически связана с вики-проектом «Электроника», цель которого — создание и улучшение статей по темам, связанным с Электроникой. Вы можете её отредактировать, а также присоединиться к проекту, принять участие в его обсуждении и поработать над требуемыми статьями. |
"Ток коллектора освещенного фототранзистора оказывается достаточно большим — отношение светового потока к темновому велико (несколько сотен)." Освещенного какой интенсивностью света? 159.93.14.8 11:40, 31 марта 2011 (UTC)
Об отношении токов
[править код]Видимо, ток насыщения к току в полной темноте. 31.135.40.96 17:37, 8 июня 2018 (UTC)
Какова роль базы?
[править код]Какова роль именно того, что база имеет иной тип проводимости, чем коллектор с эмиттером? В обычном транзисторе база нужна для инжекции неосновных носителей, а неосновные они именно потому, что её тип проводимости противоположен. Но здесь заряды имеют оба знака, один так и так будет не основным. А если на одном кристалле p-полупроводника длиной мкм 10 сделать два встречно включенных диода Шоттки, расположив оба барьера на концах, он будет работать вместо фототранзистора? Или я бред сморозил? 31.135.40.96 17:47, 8 июня 2018 (UTC)