Обсуждение:P-n-переход

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Возможно ошибки[править код]

По моему в этой статье перепутаны знаки носителей заряда, в p-области преобладают квазичастицы дырки, которые являются положительно заряженными, а в n-области - электроны, они соответственно, переносят отрицательный заряд.

Подобную мысль вызвали следующие строки из статьи: "В p-области вблизи контакта после диффузии из неё дырок остаются нескомпенсированные ионизированные акцепторы (отрицательные неподвижные заряды), а в n-области — нескомпенсированные ионизированные доноры (положительные неподвижные заряды)."

Нет, тут все правильно. В p-области (насыщенной дырками) вблизи контакта действительно есть область повышенной концентрации электронов, и в n-области (насыщенной электронами) вблизи контакта есть область повышенной концентрации дырок. Собственно, это и называется ОПЗ. Хороший рисунок.

"Потенциал n-области положителен по отношению к потенциалу p-области."

Преобладающий заряд в n-области ОПЗ - положительный, соответственно и потенциал положителен.

Так же по моему перепутано направление диффузионного поля. "Между нескомпенсированными разноимёнными зарядами ионизированных примесей возникает электрическое поле, направленное от n-области к p-области и называемое диффузионным электрическим полем."

Опять же, это внутри ОПЗ - там дырки стремятся к p-области, а электроны - к n. На том же рисунке показано направление поля (E-field).

Если я ошибаюсь, то поправьте меня, буду признателен.