Рекомбинационное излучение

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Рекомбинационное излучение — излучение, излучаемое в результате процесса рекомбинации — захвата пролетающего электрона ионом и перехода электрона в связанное состояние. При этом в излучение переходит энергия, равная сумме кинетической энергии свободного электрона и его энергии связи[1]. Для водородной плазмы мощность рекомбинационного излучения на единицу объёма () даётся формулой[2]:

До температуры около излучение рекомбинации превышает тормозное излучение вследствие торможения электронов. При более высоких температурах преобладает тормозное излучение. В случае ионов плазмы с большими зарядами излучение рекомбинации возрастает приблизительно пропорционально четвёртой степени заряда иона[2].

Примечание[править | править код]

Литература[править | править код]

  • Арцимович Л. А. Элементарная физика плазмы. — 3-е изд. — М.: Атомиздат, 1969. — 189 с.
  • Котельников И. А. Лекции по физике плазмы. Том 1: Основы физики плазмы. — 3-е изд. — СПб.: Лань, 2021. — 400 с. — ISBN 978-5-8114-6958-1.