Верхний затвор (графен)
Верхний затвор — затвор, который находится над образцом с противоположной от подложки стороны. Терминология сложилась на данный момент в технологии, связанной с графеном для того, чтобы отличать от затвора, в качестве которого служит высоколегированая кремниевая подложка. Ситуация с названиями противоположна в графене и МОП-транзисторах, поскольку в последнем случае обычно отсутствует обратный затвор.
Графен находится на поверхности SiO2/Si, ничем не ограничен сверху, поэтому для создания верхнего затвора сначала наносят диэлектрический слой, а потом напыляют металл. В самой первой работе использовали в качестве диэлектрика SiO2.[1] Выбор диэлектрика может влиять на подвижность носителей тока в графене благодаря зарядам или дефектам в его структуре. Среди других материалов, использованных в качестве диэлектрика, существуют: PMMA[2], Al2O3[3], HfO2[4].
В идеале можно обойтись без диэлектрика вообще и использовать подвешенный верхний затвор, который не влияет на подвижность[5][6].
Примечания[править | править код]
- ↑ Lemme M. C. et. al. A Graphene Field-Effect Device IEEE Electron Dev. Lett. 28, 282 (2007) doi:10.1109/LED.2007.891668
- ↑ Huard B. et. al. Transport Measurements Across a Tunable Potential Barrier in Graphene Phys. Rev. Lett. 98, 236803 (2007) doi:10.1103/PhysRevLett.98.236803
- ↑ Williams J. R. et. al. Quantum Hall Effect in a Gate-Controlled p-n Junction of Graphene Science 317, 638 (2007) doi:10.1126/science.1144657
- ↑ Özyilmaz B. et. al. Electronic transport in locally gated graphene nanoconstrictions Appl. Phys. Lett. 91, 192107 (2007) doi:10.1063/1.2803074
- ↑ Gorbachev R. V. et. al. Conductance of p-n-p Graphene Structures with “Air-Bridge” Top Gates Nano Lett., 8, 1995 (2008) doi:10.1021/nl801059v
- ↑ Fabrication of graphene p-n-p junctions with contactless top gates Appl. Phys. Lett. 92, 203103 (2008) doi:10.1063/1.2928234